طبق اعلام وب‌سایت Xtech Nikkei، هیدفومی میازاکی، رئیس بخش فناوری کیوکسیا (Kioxia)، در سخنرانی خود در هفتادویکمین نشست بهاره‌ی انجمن فیزیک کاربردی در دانشگاه توکیو، از برنامه‌ی شرکتش برای تولید انبوه حافظه‌های 3D NAND با بیش از ۱٬۰۰۰ لایه تا سال ۲۰۳۱ خبر داد.

افزایش تعداد لایه‌های فعال در تراشه‌های 3D NAND، بهترین روش برای افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی محسوب می‌شود؛ به‌همین‌دلیل، همه‌ی تولیدکنندگان این نوع تراشه‌ها سعی می‌کنند تعداد لایه‌ها را هر ۱٫۵ تا ۲ سال با معرفی نسل‌های جدید حافظه‌های خود افزایش دهند.

توسعه‌ی هر نسل تراشه‌های 3D NAND، مشکلات فنی خاص خود را دارد. سازندگان حافظه باید هم‌زمان با افزایش تعداد لایه‌ها، ابعاد سلول‌های حافظه (به‌صورت افقی و عمودی) را نیز کاهش دهند. این فرایند مستلزم به‌کارگیری مواد جدیدی در هر نسل است که مشکل بزرگی برای واحد تحقیق‌و‌توسعه محسوب می‌شود.

بهترین حافظه‌ی 3D NAND کیوکسیا، یعنی نسل هشتم BiCS، از ۲۱۸ لایه‌ی فعال و رابط ۳٫۲ گیگاترنسفربرثانیه بهره می‌برد و اولین‌بار در مارس ۲۰۲۳ (اسفند ۱۴۰۱ و فروردین ۱۴۰۲) معرفی شد. این نسل از حافظه‌های 3D NAND کیوکسیا از معماری نوآورانه‌ی CBA استفاده می‌کند.

تولید سلول‌های حافظه و مدارهای جانبی به‌صورت جداگانه به‌ شرکت‌های سازنده‌ی تراشه‌های 3D NAND اجازه می‌دهد تا از به‌روزترین فناوری‌ها برای هر بخش بهره ببرند. این راهکار به‌خصوص با پیشرفت صنعت و استفاده روش‌هایی مثل انباشت رشته‌ای که قطعاً برای حافظه‌های 3D NAND با ۱٬۰۰۰ لایه به کار گرفته خواهد شد، مزایای بیشتری به‌ارمغان خواهد آورد.

سامسونگ نیز در تلاش است تا به تولید انبوه حافظه‌های 3D NAND با ۱٬۰۰۰ لایه دست یابد و باید دید کدام شرکت زودتر از دیگری به هدف مذکور خواهد رسید.